郑耀宗

  微电子学专家。1939年2月9日生于香港,籍贯广东中山。1963年毕业于香港大学,获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。曾任香港大学校长。1999年当选为中国科学院院士。

  长期以来对金属-氧化硅-硅(MOS)系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术,解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题,使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论,在MOS集成电路进入深亚微米阶段后,这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素,这是对MOS器件物理的一大发展。是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。