邹世昌

    材料科学家。原籍江苏太仓,1931年7月27日生于上海。1952年毕业于唐山交通大学冶金工程系。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。中国科学院上海冶金研究所研究员。1991年当选为中国科学院院士(学部委员)。

    60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作,对技术路线进行优选决策。70年代以后在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作。独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路,用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。研究SOI材料并制成CMOS/SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。